大功率管_大功率管道电加热器
1.哪位高手可以告诉我小功率三极管和大功率三极管他们的特点分别是什么呢?
2.大功率晶体管为什么外壳与内部C极相连？
3.有什么大功率的PNP三极管？详细看补充
4.大功率功放管哪个好
5.大功率晶体管为什么外壳与内部C极相连?
6.大功率晶体管的概念
功率管作用：
一般用在电路末级驱动负载，输出电流比较大，由于制作工艺的限制，大电流的三极管放大倍数都不大，所以用复合管的方式增大放大倍数。
在放大电路中担任末级输出的管子叫功率管。
功率管分为大功率管和小功率管。一般PCM（集电极耗损功率）大于1W的叫大功率管如国产的3DD和3DA型的和日产的2SD和2SC管子。PCM小于1W的叫小功率管。如3AX和3DG型的管子。有的较好的电路有CMOS场效应管做功率放大管。
哪位高手可以告诉我小功率三极管和大功率三极管他们的特点分别是什么呢?
有el156 805 811 845 833 fu80 fu81，甲类输出功率都是25w往上走，一般需要大功率胆机的话，用807，kt88做乙2类推挽能上百w ，如果你不是想在露天，或者**院用，又不想拆楼的话，有个13w都ok了，，，
希望我的回答能帮到您
大功率晶体管为什么外壳与内部C极相连？
小功率和大功率管的区别很明显主要就是功率了，也就是里边硅片的大小差别是它们的主要区别，管芯大的，可通过更高的电流，功率就大，管芯小的通过电流就小了，所以功率就小。
这里是忽略掉管子的其它属性，同等条件相比的。
如果说耐压，截止频率等还有好多参数了，但一般不直接与功率有关，所以这里不讨论。
有什么大功率的PNP三极管？详细看补充
这是由大功率晶体管的管芯结构，以及后部封装工艺决定的。现在大功率晶体管都是硅管，双极型结构的，分为NPN和PNP两种类型，这两种类型有个同样的特点就是在制造管芯的时候，C极的面积要比较大，以便能通过比较大的电流。所以C极就直接制造成芯片的衬底，然后用烧结的办法，在高温下用焊料把芯片和底座烧结在一起，这样C极就和底座连通了。E和B分别用硅铝丝连接芯片和底座的外引线，E，B的外引线是和外壳完全绝缘的。
连通还有一个因素就是对散热的考虑，大功率晶体管的主要热源来自于集电极的散热，最大耗散功率可以认为就是集电结的功率。所以C极与外壳相连可以更好的散热，提高器件的可靠性。在实际使用过程中，大功率管的外壳要和电路板上的其他器件绝缘。大功率管在使用过程中要加散热器，保证器件的壳温小于100度以下。
大功率功放管哪个好
一般大功率管的放大倍数只在几到几十倍，放大倍数在200左右的只能是达林顿形式的管子了，给你介绍以下几种供选用（同一种管子的放大倍数有比较大的范围，可按要求选相近的）。
B669 28 PNP 达林顿功放 70V 4A 40W
B675 28 PNP 达林顿功放 60V 7A 40W
B673 28 PNP 达林顿功放 100V 7A 40W
B1400 28B PNP 达林顿功放 120V 6A 25W D1590 （配对）
B1079 30 PNP 达林顿功放100V 20A 100W D1559 （配对）
B1316 54B PNP 达林顿功放100V 2A 10W
B1494 BCE PNP 达林顿功放120V 20A 120W D2256 （配对）
大功率晶体管为什么外壳与内部C极相连?
功率大且音质较好的功放管经过对比试听，三洋功率管D1047、B817和东芝功率管C5198、A1941很好听，再大点就是东芝的5200、1943功率管了，但不如5198、1941好听，也试听过安森美的0281、0302功率管，低频硬，高频比较吵杂，并不像传说中的那样好听，再有就是三肯的C6111A、A1251A，虽然指标比东芝管高，但低频清瘦，高频偏多，不耐听。
大功率晶体管的概念
这是由大功率晶体管的管芯结构，以及后部封装工艺决定的。现在大功率晶体管都是硅管，双极型结构的，分为NPN和PNP两种类型，这两种类型有个同样的特点就是在制造管芯的时候，C极的面积要比较大，以便能通过比较大的电流。所以C极就直接制造成芯片的衬底，然后用烧结的办法，在高温下用焊料把芯片和底座烧结在一起，这样C极就和底座连通了。E和B分别用硅铝丝连接芯片和底座的外引线，E，B的外引线是和外壳完全绝缘的。
连通还有一个因素就是对散热的考虑，大功率晶体管的主要热源来自于集电极的散热，最大耗散功率可以认为就是集电结的功率。所以C极与外壳相连可以更好的散热，提高器件的可靠性。在实际使用过程中，大功率管的外壳要和电路板上的其他器件绝缘。大功率管在使用过程中要加散热器，保证器件的壳温小于100度以下。
大功率晶体管是一种能够处理和控制高电压或高电流的晶体管，用于那些需要较大电流承载能力和较高功耗的电子电路中。这类晶体管具备较大的功率额定值和优化的热管理特性，以确保在高功率工作状态下的稳定性和效率。
大功率晶体管通常包括以下特点：
1. 高电流和高电压：比一般的小信号晶体管能够承受更高的工作电压和通过更多的电流。
2. 散热：由于在操作时会产生较多热量，所以它们通常设计有较大的散热器，或者使用其他先进的热管理技术来保持适宜的工作温度。
3. 较大尺寸：大功率晶体管的封装通常比一般的晶体管更大，以提供更好的散热能力和承载高电压和电流的物理强度。
4. 复杂的驱动需求：这些晶体管可能需要特殊的驱动电路来确保它们能正确地开关，这些电路可以提供足够的电流以迅速充放电晶体管门的电容，从而实现高速开关。
5. 温度系数：许多大功率晶体管在设计时要考虑温度系数，因为温度的变化会影响器件的电参数，如电流承载能力和阈值电压。
6. 应用范围：它们常用于电力放大器、开关模式电源、电机控制、电力传输和转换等领域。
大功率晶体管按类型可分为功率双极晶体管、功率场效应晶体管（如功率MOSFETs和IGBTs），每一种类型都有其特定的优势和适用场合。比如，功率MOSFET适合高频开关应用，而IGBTs则在处理高电压和大电流的应用中表现更佳。
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